Samsung anuncia memórias de SSD com 280 layers

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Créditos: Divulgação

A Samsung Electronics está preparando uma grande apresentação de novas memórias para o IEEE Solid-State Circuits Conference (SSCC), sendo um dos destaques a sua nova 3D QLC NAND flash de 280 layers.

Este será um modelo usado na próxima geração de SSDs e também no armazenamento de smartphones, trazendo 1 Tb de densidade (28,5 Gb/mm²) e uma velocidade de 3,2 GB/s. Em termos comparativos, as 3D NAND flash mais velozes vistas nos SSDs NVME atingem até 2,4 GB/s de taxa de dados I/O.

Samsung

No entanto, essa não será a única novidade que a Samsung Electronics reserva para a IEEE SSCC. Relatos apontam que eles também apresentarão um chip de memória DDR5 que traz uma taxa de dados DDR5-8000 com uma densidade de 32 Gbit (4 GB).

Este chip usa a arquitetura de célula DRAM em mosaico simétrico, produzido no processo de fundição 10 nm de quinta geração – otimizado pela própria fabricante para os seus produtos DRAM.

A intenção da Samsung é permitir que fabricantes de memória para PC trabalhem com DIMMs de 32 GB e 48 GB em uma configuração single-rank com velocidade DDR5-8000 – além de possibilitar DIMMs de 64 GB e 96 GB em configuração dual-rank.

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Samsung/Reprodução

Os planos da Samsung para 2024

Mesmo trabalhando em diversas frentes diferentes, a principal atração da Samsung Electronics para a IEEE SSCC será o GDDR7. A coreana promete levar uma DRAM de nova geração com velocidade de 37 Gbps – dando uma pequena amostra do que veremos na próxima geração de GPUs e de consoles.

É esperado que estas memórias GDDR7 usem a sinalização PAM3 e tenham a densidade de 16 Gbit – no entanto, as suas especificações não foram oficialmente confirmadas pela fabricante.

Vale notar que tanto a NVIDIA quanto a AMD as observam de perto, já que pretendem trazer suas próximas GPUs com esta tecnologia.

Acredita-se que apenas não se decidiram ainda com qual fabricante seguir – já que a SK Hynix e a Micron também trabalham em suas próprias versões do GDDR7 para lançamento próximo.

Além da Samsung, a SK Hynix também estará presente no evento e garante que também apresentará a sua DRAM GDDR7 na SSCC – no entanto, já foi confirmado que sua velocidade ainda não alcança a potência da rival, com 35,4 Gbps neste primeiro momento.

Fonte: TechPowerUp

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