Samsung desenvolve 1ª memória HBM3E 12H DRAM de 36 GB
Créditos: Divulgação A Samsung anunciou o desenvolvimento de sua primeira memória HBM3E DRAM de 12-stack. Com 36GB e uma largura de banda de 1.280GB/s, este é o chip HBM de maior capacidade já visto e traz 50% de aumento de capacidade e desempenho em comparação ao atual HBM3 8H. Para atingir este resultado, foi usado … Ler mais